Для установки нажмите кнопочку Установить расширение. И это всё.

Исходный код расширения WIKI 2 регулярно проверяется специалистами Mozilla Foundation, Google и Apple. Вы также можете это сделать в любой момент.

4,5
Келли Слэйтон
Мои поздравления с отличным проектом... что за великолепная идея!
Александр Григорьевский
Я использую WIKI 2 каждый день
и почти забыл как выглядит оригинальная Википедия.
Статистика
На русском, статей
Улучшено за 24 ч.
Добавлено за 24 ч.
Что мы делаем. Каждая страница проходит через несколько сотен совершенствующих техник. Совершенно та же Википедия. Только лучше.
.
Лео
Ньютон
Яркие
Мягкие

Из Википедии — свободной энциклопедии

Tokyo Electron Limited
яп. 東京エレクトロン株式会社
Изображение логотипа
Небоскрёб Akasaka Biz Tower[en], штаб-квартира компании в картвеле Акасака, район Минато, Токио, Япония

Небоскрёб Akasaka Biz Tower[en], штаб-квартира компании в картвеле Акасака, район Минато, Токио, Япония
Тип Публичная компания
Листинг на бирже TYO: 8035
Основание 1963
Основатели Токуо Кубо и Тосио Кодака
Расположение  Япония: Токио
Ключевые фигуры Йосикадзу Нунокава (председатель совета директоров)
Тосики Каваи[jp] (президент и CEO)[1]
Отрасль Полупроводниковая промышленность
Продукция Оборудование для производства микросхем, оборудование для производства плоскопанельных дисплеев
Собственный капитал 1,600 трлн иен
($11,98 млрд, 2023)[2]
Оборот 2,209 трлн иен
($16,54 млрд, 2023)[1]
Затраты на НИОКР 191,1 млрд иен
($1,431 млрд, 2023)[2]
Операционная прибыль 617,7 млрд иен
($4,626 млрд, 2023)[2]
Чистая прибыль 471,6 млрд иен
($3,532 млрд, 2023)[2]
Активы 2,312 трлн иен
($17,31 млрд, 2023)[2]
Капитализация 13,2 трлн иен
($89,8 млрд, 31.01.2024)[1]
Число сотрудников 17 204 (2023)[2]
Дочерние компании TEL Solar[en]
FSI International[en]
Tokyo Electron Technology Solutions[jp]
Tokyo Electron Device[jp]
Tokyo Electron Kyushu[jp]
Аудитор KPMG AZSA
Сайт tel.com
Логотип Викисклада Медиафайлы на Викискладе
Штаб-квартира Tokyo Electron Europe Limited, Кроли, Западный Суссекс, Великобритания.

Tokyo Electron Limited (яп. 東京エレクトロン株式会社 то:кё: эрэкуторон кабусики-гайся) — японская компания, производитель оборудования для изготовления интегральных схем и плоскопанельных дисплеев, по доле на рынке крупнейший в Японии и третий в мире[3]. Штаб-квартира находится в картвеле Акасака, район Минато, Токио, Япония[4]. В промышленности и на фондовом рынке Tokyo Electron Limited часто называют TEL или Tokyo Electric.

Tokyo Electron Device (яп. 東京エレクトロンデバイス株式会社 то:кё: эрэкуторон дэбайсу кабусики-гайся, TYO: 2760), или TED, является дочерней компанией TEL, специализирующейся на полупроводниковых устройствах, электронных компонентах и сетевом оборудовании[4].

Крупнейшими акционерами являются The Master Trust Bank of Japan (27 % акций) и Custody Bank of Japan (11 %)[2].

История

11 ноября 1963 года Токуо Кубо и Тосио Кодака основали компанию Tokyo Electron Laboratories Inc., большую часть стартового капитала в 5 млн иен было получено от Tokyo Broadcasting System (TBS). Позже в том же году офис компании открылся в главном здании TBS. Компания начала экспорт японских видеомагнитофонов и автомобильных радиоприёмников и импорт комплектующих и оборудования, включая диффузионные печи производства Thermco[5].

В феврале 1968 года было основано TEL-Thermco Ltd., совместное предприятие с Thermco Corporation в США. В июне 1976 года TEL-Thermco разрабатало первый в мире окислитель высокого давления. В октябре 1978 года Tokyo Electron Laboratory сменила название на Tokyo Electron Limited. В июне 1980 года акции компании были размещены во второй секции Токийской фондовой биржи, а в марте 1984 года переведены в первую секцию биржи[5].

В августе 1990 года была основана дочерняя компания Tokyo Electron FE Co., Ltd., занявшаяся разработкой и производством оборудования для изготовления жидкокристаллических дисплеев (ЖК-дисплеев). В октябре того же года начала работу компания Tokyo Electron Device Limited[jp]. В августе 1994 года штаб-квартира переехала в центр вещания Akasaka TBS[jp].

В апреле 2006 года Tokyo Electron AT Co., Ltd. разделилась на три компании (Tokyo Electron AT Co., Ltd., Tokyo Electron Tohoku Co., Ltd., Tokyo Electron TS Co., Ltd.). В феврале 2008 года была основана Tokyo Electron PV Co., Ltd., совместное предприятие с Sharp. 18 февраля 2008 года штаб-квартира компании переехала в небоскрёб Akasaka Biz Tower[en].

В мае 2012 года была куплена компания NEXX Systems (США) и переименована в TEL NEXX, Inc. В ноябре 2012 года была ликвидирована компания Tokyo Electron PV Co., Ltd. В сентябре 2013 года было достигнуто соглашение о слиянии Tokyo Electron с Applied Materials, однако в 2015 году оно было заблокировано как нарушающее антимонопольное законодательство[6].

10 июля 2019 года было объявлено о партнёрстве с BRIDG в США[7].

Деятельность

Выручка за 2022/23 финансовый год составила 2,21 трлн иен (16,5 млрд долларов). Основными рынками для компании были КНР (24 % выручки), Тайвань (20 %), Южная Корея (16 %), США (16 %), Япония (10 %), Европа (8 %)[8]. Крупнейшими покупателями были Intel (16 % продаж), TSMC (15 %) и Samsung Electronics (13 %)[2].

В списке крупнейших публичных компаний мира Forbes Global 2000 за 2023 год Tokyo Electron заняла 556-е место[9].

Оборудование для производства полупроводников

TEL производит оборудование для производства полупроводников для следующих этапов[4]:

  • термическая обработка — нанесение тонких слоев диэлектрического материала между транзисторами на поверхность кремниевой пластины в процессе нагретого химического осаждения из газовой фазы при низком давлении или процессе окисления[10]
  • фоторезистивное покрытие/проявление — покрытие фоторезистом и проявка для проецирования микроскопического рисунка схемы на пластину в фотолитографии[11]
  • плазменное травление[12]
  • подготовка поверхности пластин — очистка поверхности пластин для удаления посторонних частиц или загрязнений[13]
  • химическое осаждение из газовой фазы — осаждение тонких слоев различных материалов, таких как вольфрам, силицид вольфрама, титан, нитрид титана и оксид тантала[14]
  • зондирование пластин — зондовые устройства для тестирования функциональности и производительности каждого кристалла на пластине[15]
  • модификация материала/легирование — модификация поверхности и легирование с использованием технологии газовых кластерных ионов[16]
  • корректирующее травление/обрезка — корректирующее травление и обрезка тонких плёнок, таких как кремний, нитрид кремния, диоксид кремния, нитрид алюминия и металлов[17]
  • интегрированная метрология (совместная разработка TEL и KLA Corporation)[18]
  • корпусирование интегральных схем[19].

Исследования и разработки

Центр разработки процессов TEL расположен в Нирасаки. У TEL также есть Технологический центр в Амагасаки, и Сендайский центр проектирования и разработки в Сендае. TEL Technology Center, America, LLC в Олбани, является научно-исследовательским центром в США. TEL является одним из партнеров ИМЕК, международного микро- и наноэлектронного научно-исследовательского центра в Лёвене (Бельгия)[20].

В июле 2014 года TEL объявила о создании совместной сборочной лаборатории с Институтом микроэлектроники в Сингапуре. Лаборатория сосредоточена на исследованиях и разработках упаковки и сборки на уровне пластин, чтобы удовлетворить потребности Интернет вещей в устройствах с высокой производительностью и низким энергопотреблением[21].

См. также

Примечания

  1. 1 2 3 Tokyo Electron Ltd (англ.). Reuters. Дата обращения: 31 января 2024. Архивировано 26 сентября 2023 года.
  2. 1 2 3 4 5 6 7 8 Annual Report 2023 (англ.). Tokyo Electron Ltd.. Дата обращения: 31 января 2024. Архивировано 11 декабря 2023 года.
  3. 2021 Top Semiconductor Equipment Suppliers by VLSIresearch (англ.). VLSI Research. Дата обращения: 24 апреля 2021. Архивировано 5 июля 2022 года.
  4. 1 2 3 Fact Book 2011. Tokyo Electron Limited (31 марта 2011). Дата обращения: 23 февраля 2012. Архивировано из оригинала 4 января 2012 года.
  5. 1 2 Explore Our History. Tokyo Electron Limited. Дата обращения: 23 февраля 2012. Архивировано из оригинала 1 марта 2012 года.
  6. Applied Materials scraps Tokyo Electron takeover on U.S. anti-trust concerns (англ.). Reuters (27 апреля 2015). Дата обращения: 31 января 2024. Архивировано 9 августа 2020 года.
  7. 東京エレクトロン、米BRIDGと次世代プロセス・装置・デバイスの開発でパートナーシップを発表 (яп.). 日本経済新聞 (10 июля 2019). Дата обращения: 24 апреля 2021. Архивировано 24 апреля 2021 года.
  8. Tokyo Electron (англ.). MarketScreener. Дата обращения: 31 января 2024. Архивировано 31 января 2024 года.
  9. Tokyo Electron (англ.). Forbes. Дата обращения: 31 января 2024. Архивировано 23 октября 2022 года.
  10. Thermal Processing. Tokyo Electron Limited. Дата обращения: 23 февраля 2012. Архивировано 21 июня 2012 года.
  11. Coater/Developers. Tokyo Electron Limited. Дата обращения: 23 февраля 2012. Архивировано из оригинала 15 апреля 2012 года.
  12. Etch Systems. Tokyo Electron Limited. Дата обращения: 23 февраля 2012. Архивировано 6 января 2012 года.
  13. Surface Preparation Systems. Tokyo Electron Limited. Дата обращения: 23 февраля 2012. Архивировано 21 июня 2012 года.
  14. Single Wafer Deposition. Tokyo Electron Limited. Дата обращения: 23 февраля 2012. Архивировано 20 июня 2012 года.
  15. Wafer Probe Systems. Tokyo Electron Limited. Дата обращения: 23 февраля 2012. Архивировано из оригинала 23 июня 2012 года.
  16. Material Modification/Doping. Tokyo Electron Limited. Дата обращения: 23 февраля 2012. Архивировано 30 апреля 2012 года.
  17. Corrective Etching/Trimming. Tokyo Electron Limited. Дата обращения: 23 февраля 2012. Архивировано 30 апреля 2012 года.
  18. Integrated Metrology Systems. Tokyo Electron Limited. Дата обращения: 23 февраля 2012. Архивировано 30 апреля 2012 года.
  19. Advanced Packaging | Semiconductor Production Equipment | Tokyo Electron. www.tel.com. Дата обращения: 16 марта 2016. Архивировано 23 марта 2016 года.
  20. Annual Report 2011. Tokyo Electron Limited (31 марта 2011). Дата обращения: 23 февраля 2012. Архивировано из оригинала 4 января 2012 года.
  21. Establishment of Joint Assembly Lab with Institute of Microelectronics in Singapore. Tokyo Electron Limited. Дата обращения: 29 июля 2014. Архивировано 4 марта 2016 года.

Ссылки

Эта страница в последний раз была отредактирована 2 февраля 2024 в 21:10.
Как только страница обновилась в Википедии она обновляется в Вики 2.
Обычно почти сразу, изредка в течении часа.
Основа этой страницы находится в Википедии. Текст доступен по лицензии CC BY-SA 3.0 Unported License. Нетекстовые медиаданные доступны под собственными лицензиями. Wikipedia® — зарегистрированный товарный знак организации Wikimedia Foundation, Inc. WIKI 2 является независимой компанией и не аффилирована с Фондом Викимедиа (Wikimedia Foundation).