T-RAM (англ. Thyristor RAM) — тиристорная память с произвольным доступом, новый вид оперативной памяти, предложенный в середине 2000-х годов, сочетающий в себе сильные стороны DRAM и SRAM: высокую скорость работы и большой объём. Данная технология использует ячейки памяти, основанные на эффекте NDR, которые называются Thin-Capacitively-Coupled-Thyristor[1]. T-RAM уходит от привычных дизайнов ячеек памяти: 1T и 6T, применяемых в DRAM- и SRAM-памяти. Благодаря этому данная память является хорошо масштабируемой и уже имеет плотность хранения данных, в несколько раз превышающую её у SRAM-памяти. В данный момент идёт разработка следующего поколения T-RAM-памяти, которая, как планируется, будет сопоставима по плотности записи с DRAM.
Данную технологию компания AMD предполагала использовать в процессорах, производимых по нормам 32 и 22 нм[2].
По словам бывшего CEO компании T-RAM Semiconductor, несмотря на успешное решение множества проблем в производстве, для T-RAM так и не был достигнут процент выхода годных изделий, достаточный для прибыльного массового выпуска[3].
Примечания
- ↑ Описание технологии Архивировано 23 мая 2009 года. (англ.)
- ↑ IXBT: GlobalFoundries сможет использовать память thyristor-RAM в процессорах AMD нового поколения Архивировано 9 сентября 2010 года., IXBT, 20 мая 2009
- ↑ Jim Handy. A 1T SRAM? Sounds Too Good to be True! (англ.), The Memory Guy (19 February 2016). Архивировано 18 января 2018 года. Дата обращения: 17 января 2018. "The Memory Guy asked former T-RAM CEO Kenneth Ervin Young..."
См. также
Ссылки
- Сайт компании, владеющей патентом на данную технологию (англ.)
- Farid Nemati (T-RAM Semiconductor), Thyristor RAM (T-RAM): A High-Speed High-Density Embedded Memory. Technology for Nano-scale CMOS / 2007 Hot Chips Conference, August 21, 2007 (англ.)
- EE Times: GlobalFoundries to apply thyristor-RAM at 32-nm node (недоступная ссылка), EETimes, 2009-05-19 (англ.)
Эта страница в последний раз была отредактирована 19 мая 2022 в 23:47.
Обычно почти сразу, изредка в течении часа.