Для установки нажмите кнопочку Установить расширение. И это всё.

Исходный код расширения WIKI 2 регулярно проверяется специалистами Mozilla Foundation, Google и Apple. Вы также можете это сделать в любой момент.

4,5
Келли Слэйтон
Мои поздравления с отличным проектом... что за великолепная идея!
Александр Григорьевский
Я использую WIKI 2 каждый день
и почти забыл как выглядит оригинальная Википедия.
Что мы делаем. Каждая страница проходит через несколько сотен совершенствующих техник. Совершенно та же Википедия. Только лучше.
.
Лео
Ньютон
Яркие
Мягкие

Из Википедии — свободной энциклопедии

Микросхема ППЗУ КР556РТ11
Микросхема ППЗУ КР556РТ11
Типы компьютерной памяти
Энергозависимая
Современные распространённые типы
DRAM (в том числе DDR SDRAM)
SRAM
Перспективные
T-RAM
Z-RAM
TTRAM
Устаревшие типы
Память на линиях задержки
Запоминающая электростатическая трубка[en]
Запоминающая ЭЛТ
Энергонезависимая
ПЗУ
PROM
EPROM
EEPROM
NVRAM
Флеш-память
3D XPoint
Первые разработки
FRAM
MRAM
PRAM
Перспективные
CBRAM
SONOS
RRAM
Беговая память
Nano-RAM
Millipede
Устаревшие типы
Магнитный барабан
Память на магнитных сердечниках
Память на магнитной проволоке
Память на ЦМД
Память на твисторах

PROM (англ. Programmable Read-Only Memory, программируемое ПЗУ, ППЗУ) — класс полупроводниковых запоминающих устройств, постоянная память с пережигаемыми перемычками.

Память представляет собой двумерный массив проводников (строк и столбцов), на пересечении которых находятся последовательно соединённые диод (или p-n-переход транзистора) и специальная перемычка из металла (например, нихрома или титаново-вольфрамового сплава) или аморфного кремния. Программирование заключается в пропускании через соответствующую перемычку тока, который её расплавляет или испаряет. Восстановление расплавленных перемычек невозможно.

Несмотря на кажущуюся надежность такого решения, эта технология оказалась весьма капризной. Металлические перемычки при программировании образовывали капли и пары металла, которые оседали обратно на кристалл в самых неожиданных местах с соответствующими неприятными последствиями. Поликремниевые перемычки имеют способность к самовосстановлению за счет миграции атомов. По этой причине микросхемы после программирования требовалось выдерживать длительное время при высокой температуре с целью выявления потенциальных дефектов этого типа.

В конечном итоге память на пережигаемых перемычках была вытеснена в большинстве применений решениями на транзисторах с плавающим затвором (EPROM, EEPROM и флеш-памятью).

Энциклопедичный YouTube

  • 1/1
    Просмотров:
    9 007 699
  • 10 Normal Kids Who Brought A Celebrity To PROM

Субтитры

Преимущества

  • Записанные данные невозможно уничтожить электрическим способом, разрушение происходит лишь при физическом воздействии на носитель.
  • Высокая скорость доступа к данным — 35 нс и менее.

Недостатки

  • Малый объём хранимых данных.
  • В PROM возможно изменение данных путём «довыжигания» тех перемычек, которые ещё не были уничтожены. Для борьбы с такими изменениями могут применяться биты четности и другие контрольные суммы.

Литература

Эта страница в последний раз была отредактирована 28 января 2018 в 17:04.
Основа этой страницы находится в Википедии. Текст доступен по лицензии CC BY-SA 3.0 Unported License. Нетекстовые медиаданные доступны под собственными лицензиями. Wikipedia® — зарегистрированный товарный знак организации Wikimedia Foundation, Inc. WIKI 2 является независимой компанией и не аффилирована с Фондом Викимедиа (Wikimedia Foundation).