Для установки нажмите кнопочку Установить расширение. И это всё.

Исходный код расширения WIKI 2 регулярно проверяется специалистами Mozilla Foundation, Google и Apple. Вы также можете это сделать в любой момент.

4,5
Келли Слэйтон
Мои поздравления с отличным проектом... что за великолепная идея!
Александр Григорьевский
Я использую WIKI 2 каждый день
и почти забыл как выглядит оригинальная Википедия.
Статистика
На русском, статей
Улучшено за 24 ч.
Добавлено за 24 ч.
Что мы делаем. Каждая страница проходит через несколько сотен совершенствующих техник. Совершенно та же Википедия. Только лучше.
.
Лео
Ньютон
Яркие
Мягкие

Из Википедии — свободной энциклопедии

Типы компьютерной памяти
Энергозависимая
Современные распространённые типы
DRAM (в том числе DDR SDRAM)
SRAM
Перспективные
T-RAM
Z-RAM
TTRAM
Устаревшие типы
Память на линиях задержки
Запоминающая электростатическая трубка[англ.]
Запоминающая ЭЛТ
Энергонезависимая
ПЗУ
PROM
EPROM
EEPROM
NVRAM
Флеш-память
3D XPoint
Первые разработки
FRAM
MRAM
PRAM
Перспективные
CBRAM
SONOS
RRAM
Беговая память
Nano-RAM
Millipede
Устаревшие типы
Магнитный барабан
Память на магнитных сердечниках
Память на магнитной проволоке
Память на ЦМД
Память на твисторах

Беговая память (англ. racetrack memory, domain-wall memory (DWM)) — тип энергонезависимой памяти, разрабатываемый компанией IBM. Принцип записи в ней основан на перемещении магнитных доменов в нанотрубках с помощью спиновых токов. Размеры магнитных доменов были значительно уменьшены благодаря достижениям в области спинтронных магнитно-резистивных устройств и материалов, так как меньший размер домена обеспечивает более высокую плотность записи. Первый 3-битный успешный образец был продемонстрирован в 2008 году[1]. Предполагается, что такая память обеспечит значительно бо́льшую плотность записи, чем современные USB-флеш-накопители и жёсткие диски. Кроме этого, также значительно возрастет скорость чтения/записи. Возможно, в будущем эта технология будет использоваться при создании универсальной памяти.

Одной из трудностей является экспериментально обнаруженная низкая скорость перемещения магнитных доменов по нанотрубкам. Было установлено, что на скорость передвижения влияют неоднородности (примеси) в самих трубках. В настоящее время[2] ведутся работы по созданию свободных от примесей нанотрубок, которые смогут обеспечить макроскопическую скорость передвижения порядка 110 м/с[3].

По современным представлениям беговая память должна обеспечить задержку чтения/записи 20—32 нс. Планируется улучшить этот показатель до 9,5 нс. У жёстких дисков этот показатель составляет 107 нс, для современной оперативной памяти DRAM — 20—30 нс.

Магнитные домены перемещаются вдоль пермаллоевых наноскопических трубок толщиной 100 нм и длиной 200 нм. Когда домен проходит мимо магнитных головок, расположенных вдоль трубки, он ориентируется согласно заданной последовательности битов, таким образом обеспечивая запись.

Этот концепт близок к магнитноэлектронным запоминающим устройствам (англ. bubble memory) 1960—1970-х годов. Однако ещё раньше на похожем принципе работала память на линиях задержки (англ. delay memory), которая использовалась в компьютерах UNIVAC и EDSAC.

Примечания

Литература

  • Память нового поколения // CHIP : журнал. — 2011. — № 7. — С. 22—23. — ISSN 1609-4212.

Ссылки

Эта страница в последний раз была отредактирована 7 июня 2022 в 04:02.
Как только страница обновилась в Википедии она обновляется в Вики 2.
Обычно почти сразу, изредка в течении часа.
Основа этой страницы находится в Википедии. Текст доступен по лицензии CC BY-SA 3.0 Unported License. Нетекстовые медиаданные доступны под собственными лицензиями. Wikipedia® — зарегистрированный товарный знак организации Wikimedia Foundation, Inc. WIKI 2 является независимой компанией и не аффилирована с Фондом Викимедиа (Wikimedia Foundation).