GDDR7 SDRAM (Graphics Double Data Rate 7 Synchronous Dynamic Random-Access Memory) — тип памяти графической карты (SGRAM), указанный в стандарте памяти JEDEC с высокой пропускной способностью, интерфейсом с "двойной скоростью передачи данных", предназначенным для использования в видеокартах, игровых консолях и высокопроизводительных вычислениях. Это тип GDDR SDRAM (графическая DDR SDRAM), преемник GDDR6(X/W)[1][2].
История
- На Samsung Tech Day 2022 компания Samsung анонсировала GDDR7 как преемницу GDDR6X, которая может обеспечить скорость до 36 ГТ/с[3] . Два месяца спустя Samsung объявила, что будет использовать сигнализацию PAM-3 для достижения максимальной скорости передачи[4].
- 8 марта 2023 года Cadence анонсировала инструмент решения для проверки для предварительного производства GDDR7 SDRAM[5].
- 30 июня 2023 года Micron объявила, что она будет производиться с использованием узла 1ß (эквивалент технологического узла 12-10 нм), выпуск которого запланирован на первую половину 2024 года[6].
- 18 июля 2023 года Samsung анонсировала первое поколение GDDR7, которое может достигать скорости до 32 Гбит/с на контакт (пропускная способность на контакт выше на 33% по сравнению с 24 Гбит/с на контакт у GDDR6), пропускная способность выше на 40% (1,5 ТБ/с) по сравнению с GDDR6 (1,1 ТБ/с) и на 20% более энергоэффективен. В качестве упаковочного материала компания будет использовать эпоксидный формовочный компаунд (ЭФК) наряду с оптимизацией архитектуры микросхемы, что снизит термическое сопротивление на 70%[7]. Позже в ходе сессии вопросов и ответов Samsung упомянула, что она будет производиться с использованием узла D1z (эквивалент 15–14 нм[8]) и работать от напряжения 1,2 В. Версия 1,1 В с пониженной тактовой частотой также будет доступна в какой-то момент в будущем после выпуска версии 1,2 В[9].
- 5 марта 2024 года JEDEC официально опубликовала стандарт графической памяти GDDR7[10].
Технологии
GDDR7 SDRAM основана на схеме передачи сигналов с амплитудно-импульсной модуляцией PAM-3[11] вместо NRZ (PAM-2). PAM-3 на 20 % более энергоэффективен, чем NRZ, с более высокой пропускной способностью в 32 ГТ/с (скорость передачи данных 128 Гбайт/с), но требует меньше оборудования, чем PAM-4, что делает его дешевле. PAM-3 использует три бита за два цикла, в то время как NRZ использует только 1 бит за цикл[1][2]. GDDR7 SDRAM также будет производиться с использованием узла 1ß[12] (эквивалентного технологическому узлу 12-10 нм), что станет последним производственным процессом DRAM, в котором будут использоваться инструменты литографии в глубоком ультрафиолете (DUV).
Cм. также
Примечания
- ↑ 1 2 Anton Shilov. GDDR7 Arrives: Samsung Outs World's First Chip, 32 GT/s for Next-Gen GPUs (англ.). Tom's Hardware (19 июля 2023). Дата обращения: 6 октября 2023. Архивировано 29 августа 2023 года.
- ↑ 1 2 Павел Котов. Samsung закончила разработку чипа памяти GDDR7 — в полтора раза быстрее GDDR6X. 3DNews (19 июля 2023). Дата обращения: 6 октября 2023. Архивировано 5 сентября 2023 года.
- ↑ Samsung announces 36 Gbps GDDR7 memory standard, aims to release V-NAND storage solutions with 1000 layers by 2030 (англ.). Notebookcheck (6 октября 2022). Дата обращения: 30 июня 2023. Архивировано 30 июня 2023 года.
- ↑ Samsung работает над памятью GDDR7 с частотой 37 ГГц. iXBT.com (5 декабря 2022). Дата обращения: 6 октября 2023. Архивировано 7 июля 2023 года.
- ↑ Cadence announces first GDDR7 verification solution (англ.). Videocardz.com (9 марта 2023). Дата обращения: 6 октября 2023. Архивировано 25 сентября 2023 года.
- ↑ Память GDDR7 выйдет уже в следующем году — Micron войдет в список вендоров. Overclockers.ru (29 июня 2023). Дата обращения: 6 октября 2023. Архивировано 8 июля 2023 года.
- ↑ Samsung develops industry's first GDDR7 DRAM with 1.5 TBps bandwidth (англ.). Notebookcheck (19 июля 2023). Дата обращения: 31 июля 2023. Архивировано 31 июля 2023 года.
- ↑ Memory Technology 2021: Trends & Challenges (PDF), 2021, Архивировано (PDF) 22 мая 2023, Дата обращения: 31 июля 2023
- ↑ Smith, Ryan Samsung Completes Initial GDDR7 Development: First Parts to Reach Up to 32Gbps/pin. AnandTech (18 июля 2023). Дата обращения: 31 июля 2023. Архивировано 31 июля 2023 года.
- ↑ Принят новый стандарт памяти для видеокарт GDDR7. habr.com. Дата обращения: 6 марта 2024.
- ↑ Sherman Shan Chen, Francesco de Paulis, David R. Stauffer, Brian Holden. PAM3: History, Algorithm, and Performance Comparison to NRZ and PAM4 (англ.) // Interconnect Technologies for Integrated Circuits and Flexible Electronics / Yash Agrawal, Kavicharan Mummaneni, P. Uma Sathyakam. — Singapore: Springer Nature, 2024. — P. 137–160. — ISBN 978-981-99-4476-7. — doi:10.1007/978-981-99-4476-7_9.
- ↑ Micron set to introduce GDDR7 memory chips in early 2024 (амер. англ.). TechSpot (30 июня 2023). Дата обращения: 8 ноября 2023. Архивировано 23 сентября 2023 года.
| Асинхронная | |
|---|---|
| Синхронная | |
| Графическая | |
| Rambus | |
| Модули памяти | |
Эта страница в последний раз была отредактирована 28 мая 2024 в 20:10.
Обычно почти сразу, изредка в течении часа.