Туннельное магни́тное сопротивле́ние, туннельное магнитосопротивление или магнетосопротивление (сокр. ТМС, англ. Tunnel magnetoresistance, сокр. TMR) — квантовомеханический эффект, проявляется при протекании тока между двумя слоями ферромагнетиков, разделенных тонким (около 1 нм) слоем диэлектрика. При этом общее сопротивление устройства, ток в котором протекает из-за туннельного эффекта, зависит от взаимной ориентации полей намагничивания двух магнитных слоев. Сопротивление выше при антипараллельной намагниченности слоев. Эффект туннельного магнитного сопротивления похож на эффект гигантского магнитного сопротивления, но в нём вместо слоя немагнитного металла используется слой изолирующего туннельного барьера.
История открытия
Эффект был открыт в 1975 году Мишелем Жюльером, использовавшим железо в качестве ферромагнетика и оксид германия в качестве диэлектрика (структура Fe/GeO/Co). Данный эффект проявлялся при температуре 4,2 К, при этом относительное изменение сопротивления составляло около 14 %, поэтому ввиду отсутствия практического применения он не привлек к себе внимания[1].
При комнатной температуре действие эффекта впервые было открыто в 1991 году Терунобу Миязаки (Университет Тохоку, Япония), изменение сопротивления составило всего 2,7 %. Позже, в 1994 году, Миядзаки впервые обнаружил в переходе Fe/Al2O3/Fe отношение магнитосопротивления 30 % при 4,2 К и 18 % при 300 K[2]. Независимо от него группой ученых во главе с Джагадишем Мудера в соединениях CoFe и Co был обнаружен эффект 11,8 %[3], в связи с возобновлением интереса к исследованиям в этой области после открытия эффекта гигантского магнитного сопротивления. Наибольший эффект, наблюдаемый в то время с изоляторами из оксида алюминия, составлял около 70 % при комнатной температуре.
В 2001 году группа Батлера и группа Матона независимо сделали теоретическое предсказание, что при использовании железа в качестве ферромагнетика и оксида магния в качестве диэлектрика эффект туннельного магнитного сопротивления может возрасти на несколько тысяч процентов. В том же году Боуэн и др. первыми сообщили об экспериментах, показывающих значительное туннельное магнитосопротивление в туннельном переходе на основе MgO (Fe/MgO/FeCo)[4].
В 2004 году группа Перкина и группа Юаса смогли изготовить устройства на основе Fe/MgO/Fe и достичь величины туннельного магнитосопротивления в 200 % при комнатной температуре[5].
В 2007 году устройства на основе ТМР эффекта с оксидом магния полностью заменили устройства на основе эффекта гигантского магнитного сопротивления на рынке устройств магнитного хранения информации.
В 2008 году С. Икеда, Х. Оно и др. из Университета Тохоку в Японии наблюдали эффект относительного изменения сопротивления до 604 % при комнатной температуре и более 1100 % при 4,2 К в соединениях CoFeB/MgO/CoFeB[6]. Однако впоследствии оказалось, что столь большие значения являлись результатом ошибки датчика сопротивления, и статьи были отозваны.
Теория
В классической физике, если энергия частицы меньше высоты барьера, то она полностью отражается от барьера. Напротив, в квантовой механике существует отличная от нуля вероятность нахождения частицы по другую сторону барьера. В структуре ферромагнит — изолятор — ферромагнит для электрона энергией εF изолятор представляет собой барьер толщиной d и высотой εВ > εF.
Рассмотрим зонную структуру магнитных (Co,Fe,Ni) металлов. Переходные металлы имеют 4s, 4p и 3d валентные электроны, различающиеся орбитальным моментом. Состояния 4s и 4p образуют sp — зону проводимости, в которой электроны имеют высокую скорость, малую плотность состояний и, следовательно, большую длину свободного пробега, то есть можно предполагать, что они ответственны за проводимость 3d металлов. В то же время d-зона характеризуется высокой плотностью состояний и низкой скоростью электронов.
Как известно, у ферромагнитных 3d металлов d-зона расщеплена вследствие обменного взаимодействия. В соответствии с принципом Паули из-за кулоновского отталкивания d электронов им энергетически более выгодно иметь параллельно ориентированные спины, что приводит к появлению спонтанного магнитного момента. Иными словами, вследствие обменного расщепления d зоны число занятых состояний различно для электронов с направлением спина вверх и вниз, что дает не равный нулю магнитный момент.
В отсутствие магнитного поля ферромагнитные электроды имеют противоположное направление намагниченностей (антипараллельная конфигурация, АР). Зона d — электронов расщеплена обменным взаимодействием как показано на рисунке. При этом происходит туннелирование электронов со спином вверх из большего числа состояний в меньшее и наоборот для электронов с противоположным спином. Наложение магнитного поля приводит к параллельной ориентации (Р) намагниченности ферромагнитных электродов. В этом случае электроны со спином вверх туннелируют из большего числа состояний в большее, а электроны со спином вниз — из малого числа состояний в малое. Это приводит к различию туннельных сопротивлений для параллельной и антипараллельной конфигурации. Данное изменение сопротивления при переориентации намагниченности во внешнем магнитном поле и является проявлением туннельного магнитосопротивления (ТМС).
В настоящее время на основании эффекта туннельного магнитного сопротивления создана магниторезистивная оперативная память (MRAM), и он также применяется в считывающих головках жестких дисков.
Примечания
- ↑ M. Jullière. Tunneling between ferromagnetic films (англ.) // Phys. Lett. : journal. — 1975. — Vol. 54A. — P. 225—226. sciencedirect Архивная копия от 8 июля 2009 на Wayback Machine
- ↑ Miyazaki, T; Tezuka, N. Giant magnetic tunneling effect in Fe/Al2O3/Fe junction (англ.) // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. — 1995. — January (vol. 139). — P. L231-L234. — ISSN 0304-8853. — doi:10.1016/0304-8853(95)90001-2.
- ↑ J. S. Moodera; et al. Large Magnetoresistance at Room Temperature in Ferromagnetic Thin Film Tunnel Junctions (англ.) // Physical Review Letters. — 1995. — 1 April (vol. 74, iss. 16). — P. 3273—3276. — doi:10.1103/PhysRevLett.74.3273.
- ↑ M. Bowen; et al. Large magnetoresistance in Fe/MgO/FeCo(001) epitaxial tunnel junctions on GaAs(001) (англ.) // Applied Physics Letters. — 2001. — September (vol. 79, iss. 11). — doi:10.1063/1.1404125. Архивировано 29 января 2022 года.
- ↑ S. Yuasa; T. Nagahama; A. Fukushima; Y. Suzuki, K. Ando. Giant room-temperature magnetoresistance in single-crystal Fe/MgO/Fe magnetic tunnel junctions (англ.) // Nature Materials. — 2004. — December (vol. 3, iss. 12). — P. 868—871. — doi:10.1038/nmat1257. Архивировано 28 мая 2021 года.
- ↑ Ikeda, S.; Hayakawa, J.; Ashizawa, Y.; Lee, Y. M.; Miura, K.; Hasegawa, H.; Tsunoda, M.; Matsukura, F.; Ohno, H. Tunnel magnetoresistance of 604% at 300 K by suppression of Ta diffusion in CoFeB/MgO/CoFeB pseudo-spin-valves annealed at high temperature (англ.) // Applied Physics Letters. — 2008. — August (vol. 93, iss. 8). — doi:10.1063/1.2976435. Архивировано 29 июля 2020 года.
Эта страница в последний раз была отредактирована 22 мая 2023 в 10:35.
Обычно почти сразу, изредка в течении часа.