Полупроводник p-типа

Полупроводни́к p-ти́па — полупроводник, в котором основными носителями заряда являются дырки.

Полупроводники p-типа получают методом легирования собственных полупроводников акцепторами.

Для полупроводников четвёртой группы периодической таблицы, например, таких как кремний и германий, акцепторами могут быть примеси химических элементов группы III периодической таблицы элементов Д. И. Менделеева — бор, алюминий, индий, галлий, а донорными — группы V — фосфор, мышьяк.

Для полупроводниковых соединений типа A^IIIB^V, например, арсенида галлия донорными примесями являются элементы группы VI — селен, теллур, а акцепторными — группы II — цинк, кадмий, ртуть.

Концентрация дырок в валентной зоне определяется температурой, концентрацией акцепторов, энергией акцепторного уровня над энергией верха валентной зоны, эффективной плотностью уровней в валентной зоне.

См. также

• Легирование (полупроводники)
• p-n-переход
• Полупроводник n-типа

Эта страница в последний раз была отредактирована 3 марта 2023 в 22:07.