Копьев, Пётр Сергеевич

Пётр Сергеевич Копьев

Дата рождения

20 мая 1946 (77 лет)

Страна

СССР→

Россия

Научная сфера

физика полупроводников

Место работы

Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН,
СПбГТУ,
Военмех

Учёная степень

доктор физико-математических наук

Учёное звание

профессор
член-корреспондент РАН (2008)

Награды и премии

Пётр Серге́евич Копьев (род. 20 мая 1946) — советский и российский физик, специалист в области физики и технологии полупроводниковых наногетероструктур, руководитель Центра физики наногетероструктур ФТИ им. А. Ф. Иоффе (Физтеха), член-корреспондент РАН (2008).

Научная деятельность

Основные научные результаты:

создано термодинамическое описание процессов роста, легирования и дефектообразования при МПЭ;
обнаружено разрушение минизоны в сверхрешетке в магнитном поле, параллельном плоскости слоев, экспериментально продемонстрированы ?-образный вид плотности состояний в структурах с квантовыми точками, показано, что гибридизация электронных и дырочных состояний на гетеропереходе InAs/GaSb ответственна за осцилляции амплитуды и полуширины линий в спектрах ЦР;
разработаны конструкция и технология приборных структур с рекордными параметрами: создан инжекционный лазер на основе короткопериодных сверхрешеток с рекордно низкой пороговой плотностью тока (43А/см2 при 300 К), впервые в мире создан инжекционный лазер на основе квантовых точек. Созданы структуры на основе короткопериодных сверхрешеток и конструкция приборов для эффективного умножения частот СВЧ-излучения вплоть до терагерцового диапазона, созданы структуры сине-зеленых (Zn,Mg)SSe/ZnCdSe лазеров (мощность излучения до 20 Вт) при оптическом и электронном возбуждении, а также гибридные структуры А2В6/ А3В5 для эффективной инжекции спинов.

Ведет преподавательскую работу на физико-техническом факультете Санкт-Петербургского технического университета^[2] и Балтийском техническом университете^[3].

Под его руководством защищены 16 кандидатских и 7 докторских диссертаций.

Член редколлегии журналов «Физика и техника полупроводников» РАН и «Письма в Журнал технической физики» РАН, член Президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН, Комиссии РАН по нанотехнологиям.

Награды

Премия Ленинского комсомола (в составе группы, за 1976 год) — за получение и исследование широкосезонных твёрдых растворов соединений А³В5 и создание на их основе эффективных инжекционных источников излучения в видимой части спектра^[3]
Государственная премия Российской Федерации (в составе группы, за 2001 год) — за цикл работ «Фундаментальные исследования процессов формирования и свойств гетероструктур с квантовыми точками и создание лазеров на их основе»^[4]
Орден Почёта (1999)^[5]
Орден Дружбы (2010)^[6]
Премия Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся научные результаты в области науки и техники (номинация физика и астрономия - премия имени А. Ф. Иоффе, за 2013 год) — за разработку метода молекулярно-пучковой эпитаксии и технологии создания на его основе низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур^[7]
Звание МОН РФ «Почётный работник науки и высоких технологий Российской Федерации» (2021)^[8]
Почётная грамота Президента Российской Федерации (2024) — за заслуги в развитии отечественной науки, многолетнюю плодотворную деятельность и в связи с 300-летием со дня основания Российской академии наук^[9].