Для установки нажмите кнопочку Установить расширение. И это всё.

Исходный код расширения WIKI 2 регулярно проверяется специалистами Mozilla Foundation, Google и Apple. Вы также можете это сделать в любой момент.

4,5
Келли Слэйтон
Мои поздравления с отличным проектом... что за великолепная идея!
Александр Григорьевский
Я использую WIKI 2 каждый день
и почти забыл как выглядит оригинальная Википедия.
Статистика
На русском, статей
Улучшено за 24 ч.
Добавлено за 24 ч.
Что мы делаем. Каждая страница проходит через несколько сотен совершенствующих техник. Совершенно та же Википедия. Только лучше.
.
Лео
Ньютон
Яркие
Мягкие

Интегрально-инжекционная логика

Из Википедии — свободной энциклопедии

Упрощенная символическое обозначение И2Л инвертора

Интегра́льно-инжекцио́нная ло́гика (распространённые аббревиатуры ИИЛ, И2Л, И2Л, И3Л, I2L, IIL, I2L) — схемотехника и технология изготовления логических элементов на биполярных транзисторах.

Интегрально-инжекционная логика предложена в конце 1971 г. — начале 1972 г. почти одновременно сотрудниками фирмы IBM Х. Бергером и З. Видманом (Бёблинген, ФРГ) и сотрудниками фирмы Philips В. К. Хартом и А. Слобом (Эйндховен, Голландия).

Принцип работы

Принципиальная схема логического элемента «ИЛИ». P-n-p транзисторы в базах служат для инжекции зарядов в базы основных транзисторов.

ИИЛ является развитием технологии НСТЛ (логика с непосредственными связями между транзисторами, которая в иностранной литературе называется MTL — Merged Transistor Logic или DCTL — Direct-Coupled Transistor Logic). В свою очередь, НСТЛ можно рассматривать как предельный вариант РТЛ, в НСТЛ отсутствуют резисторы между выходом (коллектором) n-p-n транзистора логического элемента-источника и входом (базой) элемента-приёмника.

Вообще говоря, ИИЛ не является разновидностью транзисторно-транзисторной логики. В основе функционирования ИИЛ лежит использование «особых» транзисторов с объединённой базой. Эти транзисторы не способны проводить ток из-за низкой концентрации носителей зарядов в базе. Поэтому рядом с основным транзистором, входящим в логический элемент находится «инжектор» — электрод, инжектирующий носители заряда в базу. При инжекции транзистор включается и может выполнять заданную логическую функцию.

При проектировании микросхем ИИЛ основную роль отводят именно инжекторам. Эмиттеры, как правило, соединены — ими является подложка микросхемы. На поверхности кристалла выходят базовые области транзисторов со сформированными на них коллекторными областями. Благодаря такой технологии ИИЛ-транзистор по размеру (если не считать инжектора) занимает на кристалле меньшую площадь чем МОП-транзистор. Так как один инжектор может использоваться для инжекции в несколько транзисторов, в результате получается выигрыш в степени интеграции.

Достоинства и недостатки

Преимущества таких ИМС:

  • Высокая степень интеграции (например, «проводное ИЛИ» осуществляется простым соединением коллекторов транзисторов, то есть логическая функция ИЛИ-НЕ реализуется вообще без дополнительных ключей), иногда выше, чем микросхем с МОП-логикой.
  • Иногда меньшая стоимость, чем у устройств, построенных по принципам других логик. Высокий выход годных при производстве.
  • Малое потребление энергии на одно элементарное переключение вентиля ~10−12 Дж и как следствие — сниженное энергопотребление.
  • Низкое напряжение питания: 1—3 В.
  • Хотя логические уровни ИИЛ очень близки (логический ноль ~0,2 В, логическая единица ~0,7 В) схемы ИИЛ имеют высокую помехоустойчивость, поскольку логические уровни передаются током, а не напряжением.

К недостаткам относят:

  • Относительно низкое быстродействие, максимальная рабочая частота ~50 МГц.

Применение

В СССР выпускались микропроцессорные наборы серий К582 и К584 на основе технологии ИИЛ. Также выпускались серии микросхем статических запоминающих устройств К558 и К541 небольшой ёмкости, которые благодаря встроенным преобразователям логических уровней были совместимы по уровням входных и выходных сигналов с ТТЛ.

См. также

Литература

  • Хвощ С. Т., Смолов В. Б., Белоус А.И. Инжекционные микропроцессоры в управлении промышленным оборудованием. — Л.: Машиностроение, Ленинградское отделение, 1985. — 182 с.
Эта страница в последний раз была отредактирована 26 мая 2021 в 16:40.
Как только страница обновилась в Википедии она обновляется в Вики 2.
Обычно почти сразу, изредка в течении часа.
Основа этой страницы находится в Википедии. Текст доступен по лицензии CC BY-SA 3.0 Unported License. Нетекстовые медиаданные доступны под собственными лицензиями. Wikipedia® — зарегистрированный товарный знак организации Wikimedia Foundation, Inc. WIKI 2 является независимой компанией и не аффилирована с Фондом Викимедиа (Wikimedia Foundation).