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Diseño a medida

De Wikipedia, la enciclopedia libre

Diseño a medida, (del inglés Full-custom) se define como una metodología para el diseño de circuitos integrados especificando una localización e -interconexiones entre ellos-- para cada transistor individualmente, y define la totalidad de las capas litográficas del dispositivo. Las alternativas a esta manera de diseño incluyen varios ejemplos de diseño parcialmente a medida o diseño semi-custom, las cuales pueden consistir, por ejemplo, en pautas de fabricación tales como la utilización repetida del mismo sub-circuito de transistores varias veces sobre la misma placa.[1]​ Una de estas metodologías de diseño parcialmente a medida frecuentemente usada es la metodología standard cell (muchas de éstas librerías están diseñadas propiamente usando técnicas full-custom).[2]

El diseño a medida maximiza potencialmente el rendimiento de un chip, al tiempo que aboga por una reducción de su área física, a costa del notable incremento en la complejidad de su labor de implementación, así como de fabricación. La elección tipo de diseño, además, suele quedar limitada -por razones de viabilidad y/o rentabilidad- a circuitos integrados creados para ser fabricados en gran volumen, a menudo microprocesadores y en un número más reducido de casos, circuitos ASIC.

El factor decisivo en el proceso de diseño y fabricación de circuitos ASIC es el alto coste del empleo de esta metodología, aumentando los costos fijos/unitarios y tiempos de desarrollo, y el número y complejidad de las herramientas -por ejemplo CAD- requeridos para el proceso de diseño; siendo esto así para el diseño individual de cada mask set (un requisito imprescindible a la hora de transferir el diseño de un ASIC sobre la oblea física).

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  • Cómo comenzar a trabajar con un diseño a medida en Tienda Nube

Transcription

Véase también

Referencias

  1. Wai-Kai Chen (1999). The VLSI handbook. CRC Press. ISBN 0849385938. 
  2. [Véase la sección del artículo sobre circuitos ASIC.]
Esta página se editó por última vez el 5 ago 2019 a las 17:23.
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