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90 nanómetros

De Wikipedia, la enciclopedia libre

Procesos de 
fabricación de 
semiconductores

90 nanómetros se refiere a una tecnología de proceso de semiconductores alcanzada entre los años 2003 y 2004 por parte de las principales empresas del sector, tales como las estadounidenses Intel, AMD, Infineon, Texas Instruments, IBM y la taiwanesa TSMC.

Asimismo, la tecnología de proceso de 90 nanómetros reflejó una tendencia histórica, la cual estipula que la densidad (en términos prácticos, el número de transistores) de los microprocesadores, o en general de los circuitos integrados crece a un ritmo aproximado de un 70% cada 2 o 3 años (básicamente manteniendo el mismo tamaño del núcleo del mismo).

Los haces láser de 193 nanómetros de longitud de onda fueron introducidos por varias (pero no todas) las compañías del sector para realizar el estampados litográficos de las capas críticas.

Los temas de producción relacionados con esta transición (debido al uso de nuevas fotoresistencias) se reflejaron en los altos costos asociados con esta transición.

Además, lo que fue aún más significativo, las obleas (wafers) de 300 milímetros de diámetro, las cuales al ser 2,25 veces más grandes que las anteriores de 200 mm naturalmente permiten extraer bastantes más chips o microprocesadores de cada una de ellas, se convirtieron en el estándar del mercado,

Ejemplo

A continuación se citan las características generales de un entonces novedoso DIMM de SDRAM del tipo DDR2 presentado en 2005 en el foro de empresa taiwanesa de semiconductores VIA Technologies[1]

  • Uso de obleas (wafers) de 30 centímetros de diámetro, extrayendo de ellas hasta 2,25 veces más circuitos integrados que de las antiguas de 20 cm.
  • Utilización de litografía de 248 nanómetros de láser de criptón-flúor (KrF), haciendo uso de la denominada “corrección de proximidad óptica”.
  • 512 Mbit.
  • Voltaje interno o en el núcleo de sólo 1,8 V (frente a los 2,5 V de la anterior memoria del tipo DDR SDRAM).
  • Derivada de las anteriores tecnologías de proceso de 110 y de 100 nanómetros.

Microprocesadores fabricados con la tecnología de proceso de 90 nm

Véase también

Nota y referencias

  1. Elpida's presentation at Via Technology Forum 2005 and Elpida 2005 Annual Report

Enlaces externos

Esta página se editó por última vez el 25 ene 2024 a las 17:23.
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