Для установки нажмите кнопочку Установить расширение. И это всё.

Исходный код расширения WIKI 2 регулярно проверяется специалистами Mozilla Foundation, Google и Apple. Вы также можете это сделать в любой момент.

4,5
Келли Слэйтон
Мои поздравления с отличным проектом... что за великолепная идея!
Александр Григорьевский
Я использую WIKI 2 каждый день
и почти забыл как выглядит оригинальная Википедия.
Статистика
На русском, статей
Улучшено за 24 ч.
Добавлено за 24 ч.
Что мы делаем. Каждая страница проходит через несколько сотен совершенствующих техник. Совершенно та же Википедия. Только лучше.
.
Лео
Ньютон
Яркие
Мягкие

Орликовский, Александр Александрович

Из Википедии — свободной энциклопедии

Александр Александрович Орликовский
Дата рождения 12 июня 1938(1938-06-12)
Место рождения Москва, СССР
Дата смерти 1 мая 2016(2016-05-01) (77 лет)
Страна  СССР Россия
Род деятельности физик
Научная сфера микро- и наноэлектроника
Место работы ФТИАН
Альма-матер МИФИ
Учёная степень доктор технических наук
Учёное звание профессор,
академик РАН
Награды и премии
Орден Дружбы
Премия Правительства Российской Федерации в области науки и техники Премия Правительства Российской Федерации в области образования

Алекса́ндр Алекса́ндрович Орлико́вский (12 июня 1938 года, Москва — 1 мая 2016 года, Москва) — советский и российский физик, доктор технических наук (1982), профессор (1984), академик РАН (2008), директор и научный руководитель Физико-технологического института РАН (ФТИАН).

Биография

Родился в 1938 году в семье белоруса, уроженца Витебской губернии, участника Гражданской войны, начальника штаба 8-й Дальневосточной кавалерийской дивизии ОКДВА полковника РККА Александра Ивановича Орликовского и москвички из бывшей купеческой семьи Натальи Сергеевны Мальковой. Ещё до рождения А.А. Орликовского его отец был репрессирован.

Научная карьера

Выпускник Московского инженерно-физического института 1961 года.

В 19611963 годах работал в Союзном научно-исследовательском институте приборостроения.

В 19631966 годах — аспирант Московского института электронного машиностроения.

В 19691984 годах (последовательно) старший преподаватель, доцент, профессор кафедры интегральных полупроводниковых схем (ныне кафедра интегральной электроники и микросистем) Московского института электронной техники.

В 19811985 годах — старший научный сотрудник сектора микроэлектроники Физического института им. П. Н. Лебедева (ФИАН), в 19851988 годах заведующий лабораторией микроструктурирования и субмикронных приборов отдела микроэлектроники Института общей физики (ИОФАН).

С 1988 года (после выделения отдела в Физико-технологический институт) заведующий лабораторией (19882001), заместитель директора по научной работе (20012005), директор (20052015), научный руководитель ФТИАН (20152016).

Начиная с работы в МИЭТ, научная карьера и деятельность Орликовского была тесно связана с деятельностью академика К.А. Валиева. Орликовский, как и Валиев, последовательно переходил сначала в ФИАН, затем в ИОФАН и в ФТИАН. В 2005 году, когда Валиев ушёл с должности директора ФТИАН, новым директором был избран именно Орликовский.

Читал лекции на кафедре физических и технологических проблем микроэлектроники факультета физической и квантовой электроники МФТИ[1].

Член-корреспондент РАН (2000), академик РАН (2006) по Отделению нанотехнологий и информационных технологий.

Скончался 1 мая 2016 года в Москве. Похоронен на Троекуровском кладбище (участок 25а)[2].

Основные научные результаты

  • Выполнены с внедрением в спецаппаратуре пионерские работы по полупроводниковым интегральным схемам памяти (концепция, схемы выборки, структуры, коллективные явления).
  • Разработаны плазменные процессы (травления, осаждения, имплантации и др.) в технологии кремниевой наноэлектроники; разработаны методы мониторинга плазменных процессов, созданы высокочувствительные детекторы момента окончания процессов; разработан томограф низкотемпературной плазмы для контроля 2В-распределений концентраций радикалов и ионов.
  • Разработаны оригинальные конструкции СВЧ и ВЧ источников высокооднородных потоков плотной плазмы; созданы автоматизированные технологические плазменные установки, предназначенные для применения как в исследовательских, так и в промышленных целях.
  • Разработаны новые технологии силицидизации контактов к мелкозалегающим p-n переходам; получены приоритетные результаты в исследованиях кинетики фазообразования силицидов.
  • Разработана физическая модель баллистических нанотранзисторов со структурой «кремний на изоляторе» с учетом квантовых эффектов; созданы нанотранзисторы с суб-100 нм каналами.

Награды

Примечания

Ссылки

Эта страница в последний раз была отредактирована 6 мая 2024 в 19:34.
Как только страница обновилась в Википедии она обновляется в Вики 2.
Обычно почти сразу, изредка в течении часа.
Основа этой страницы находится в Википедии. Текст доступен по лицензии CC BY-SA 3.0 Unported License. Нетекстовые медиаданные доступны под собственными лицензиями. Wikipedia® — зарегистрированный товарный знак организации Wikimedia Foundation, Inc. WIKI 2 является независимой компанией и не аффилирована с Фондом Викимедиа (Wikimedia Foundation).